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부울함수 를 간략히 했을 때 가장 옳은 것은? – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2018년 6월 23일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2018년 6월 23일 기출문제 10번입니다!

10. 부울함수 를 간략히 했을 때 가장 옳은 것은?

1. A⊕B

2.

3.

4. A+B

정답은 1

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3×8 디코더를 사용하는 ROM이 다음과 같을 때, 입력 데이터 A2A1A0가 011로 … – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2021년 4월 17일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 wonhyo0428님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2021년 4월 17일 기출문제 4번입니다!

4. 3×8 디코더를 사용하는 ROM이 다음과 같을 때, 입력 데이터 A2A1A0가 011로 주어지는 경우 출력 데이터 D3D2D1D0로 옳은 것은? (단, A2가 MSB이고, A0는 LSB이다)

1. 0001

2. 1000

3. 0000

4. 1111

정답은 2

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다음 발진기 블록 다이어그램에서, 정상상태의 발진을 만들기 위해 필요한 반전증폭기의 이득… – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2018년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 13번입니다!

13. 다음 발진기 블록 다이어그램에서, 정상상태의 발진을 만들기 위해 필요한 반전증폭기의 이득 A와 위상변이증폭기의 위상 변이 θ[°]는? (순서대로 A, θ)

1. 1, 0

2. 1, 180

3. 10, 0

4. 100, 180

정답은 4

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다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스-콜렉터간 … – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2012년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 wonhyo0428님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2012년 4월 7일 기출문제 20번입니다!

20. 다음 신호증폭용 바이폴라 트랜지스터(BJT)의 고정 바이어스 회로에서, 베이스-콜렉터간 전압값(VBC)이 -6 V가 되기 위한 바이어스 저항 RC의 값[KΩ]은? (단, BJT의 β=100, VBE=0.7V, RB=200 KΩ, C1=C2=10㎌, VCC=10.7 V 이다)

1. 0.8

2. 1.2

3. 3.3

4. 3.5

정답은 1

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다음 논리회로에서 A=0, B=1, C=1, D=0일 때, 출력 X, Y의 논리 상태로 … – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2016년 6월 25일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2016년 6월 25일 기출문제 18번입니다!

18. 다음 논리회로에서 A=0, B=1, C=1, D=0일 때, 출력 X, Y의 논리 상태로 옳은 것은?

1. X=1, Y=0, Z=0

2. X=0, Y=1, Z=0

3. X=0, Y=0, Z=1

4. X=1, Y=1, Z=0

정답은 1

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입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력 했을 때, 출력 … – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2017년 4월 8일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2017년 4월 8일 기출문제 2번입니다!

2. 입력 전력이 20 [dB] 감소하는 감쇄기에 94 [W]의 신호를 입력 했을 때, 출력 신호의 전력[W]은?

1. 0.74

2. 0.94

3. 7.4

4. 9.4

정답은 2

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BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2021년 4월 17일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 wonhyo0428님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2021년 4월 17일 기출문제 14번입니다!

14. BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. BJT 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 것이 핀치-오프(pinch-off) 현상이다.

2. BJT 컬렉터-이미터 전압크기가 증가함에 따라 실효 베이스 폭이 감소하고 컬렉터 전류가 증가하는 것이 얼리(Early) 효과이다.

3. MOSFET의 드레인 전압을 계속 증가시키면 드레인 공핍영역이 소스 공핍영역과 닿는 것이 펀치-스루(punch-through) 현상이다.

4. MOSFET의 펀치-스루(punch-through) 현상이 발생하면 드레인 전류는 급격히 증가한다.

정답은 1

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회로 내 어떤 저항 R의 양단 전압이 v(t)=VMcos(wt)[V] 일 때, 이 저항 … – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2017년 6월 24일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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6. 회로 내 어떤 저항 R의 양단 전압이 v(t)=VMcos(wt)[V] 일 때, 이 저항 R에서의 전류 i(t)[A]와 순시전력 P[W]에 대하여 옳지 않은 것은?

1. 전류 i(t)의 각주파수는 w[rad/s]이다.

2. 전류 i(t)의 최댓값은 VM/R[A]이다.

3. 순시전력 P의 각주파수는 2w[rad/s]이다.

4. 순시전력 P의 최댓값은 [W]이다.

정답은 4

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<보기>의 이상적인 연산증폭기(op-amp) 회로에서 전달함수 G(s)=Y(s)/U(s)… – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2018년 6월 23일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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6. <보기>의 이상적인 연산증폭기(op-amp) 회로에서 전달함수 G(s)=Y(s)/U(s)는?

1. G(s)=0.5+0.5s

2. G(s)=1+s

3. G(s)=1+2s

4. G(s)=2+s

정답은 4

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테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저… – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2012년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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3. 테브난 정리를 이용하여 다음 회로를 단순화할 때, 테브난 전압(VTH)[V]과 테브난 저항(RTH)값[KΩ]은? (순서대로 VTH, RTH)

1. 2.5 20/3

2. 2.5 10

3. 5 20/3

4. 5 10

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