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<보기>와 같은 R-C회로에서 입력 전압이 Vin(t)로 주어질 때, 커패시터 C의 양단… – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2020년 6월 13일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2020년 6월 13일 기출문제 9번입니다!

9. <보기>와 같은 R-C회로에서 입력 전압이 Vin(t)로 주어질 때, 커패시터 C의 양단 전압 VC(t)와 Vin(t) 간의 관계식으로 가장 옳은 것은? (단, 회로에서 저항의 저항 값은 R[Ω], 커패시터의 정전용량은 C[F]이다.)

1.

2.

3.

4.

정답은 4

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다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설… – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2019년 4월 6일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2019년 4월 6일 기출문제 6번입니다!

6. 다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.

2. 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.

3. 전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.

4. 드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.

정답은 3

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다음 회로에서 최대 전력이 부하 RL에 전달되기 위한 RL[Ω]은? – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2018년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 9번입니다!

9. 다음 회로에서 최대 전력이 부하 RL에 전달되기 위한 RL[Ω]은?

1. 6

2. 8

3. 10

4. 12

정답은 4

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다음 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q1의 컬렉터-이미터 전압 VCE[V]는? (단, βDC… – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2019년 4월 6일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2019년 4월 6일 기출문제 4번입니다!

4. 다음 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q1의 컬렉터-이미터 전압 VCE[V]는? (단, βDC =100, VBE =0.7 [V]이다)

1. 1.5

2. 2

3. 2.5

4. 3

정답은 2

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<보기>와 같이 두 전압원과 하나의 저항을 갖는 회로에서 전압 v[V]와 전류 i[mA]… – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2020년 6월 13일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2020년 6월 13일 기출문제 12번입니다!

12. <보기>와 같이 두 전압원과 하나의 저항을 갖는 회로에서 전압 v[V]와 전류 i[mA] 값은?

1. ①

2. ②

3. ③

4. ④

정답은 2

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FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2021년 4월 17일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 wonhyo0428님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2021년 4월 17일 기출문제 9번입니다!

9. FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

1. 비동기 복조(non-coherent demodulation) 방식을 사용할 수 있어 PSK(Phase Shift Keying)보다 수신기 구현이 간단하다.

2. FSK는 진폭이 일정한 변조 방식이므로 채널에 의한 진폭 변화에 둔감하다.

3. 동기 복조(coherent demodulation) 방식을 사용할 때, FSK의 비트오율(BER)이 PSK의 비트오율보다 낮다.

4. 동일한 정보 신호를 전송할 때, AM(Amplitude Modulation)보다 넓은 주파수 대역폭을 점유한다.

정답은 3

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다음 차단주파수가 fc인 2극 능동 필터 회로에서 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 … – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2018년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 16번입니다!

16. 다음 차단주파수가 fc인 2극 능동 필터 회로에서 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때, 주파수 응답특성의 변화로 옳은 것은? (단, 점선은 다음 회로의 주파수 응답특성이고 실선은 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때의 주파수 응답특성이다. 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)

1.

2.

3.

4.

정답은 3

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증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2018년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 14번입니다!

14. 증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

1. 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.

2. 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.

3. 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.

4. 드레인-소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.

정답은 2

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다음 발진기의 명칭은? – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2012년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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9급 국가직 공무원 전자공학개론 2012년 4월 7일 기출문제 12번입니다!

12. 다음 발진기의 명칭은?

1. 클랩 발진기

2. 콜핏츠 발진기

3. 하틀리 발진기

4. 이완 발진기

정답은 1

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MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은? – 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 (2017년 6월 24일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

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9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2017년 6월 24일 기출문제 10번입니다!

10. MOSFET가 JFET에 비해 가지고 있는 특징으로 옳지 않은 것은?

1. 입력 저항이 크다.

2. 캐리어의 이동도가 높다.

3. 소스 – 드레인 사이가 전기적으로 기판에서 독립되어 있다.

4. 한 장의 기판 위에서 얻을 수 있는 소자 수가 많아 집적회로에 유리하다.

정답은 2

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