안녕하세요
오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2018년 6월 23일 기출문제 8번입니다!
8. <보기> 진리표의 출력 Y에 해당하는 논리식으로 가장 옳은 것은?
1.
2.
3.
4.
정답은 3번
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::: 9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2018년 6월 23일 기출문제 풀기 :::
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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2018년 6월 23일 기출문제 8번입니다!
8. <보기> 진리표의 출력 Y에 해당하는 논리식으로 가장 옳은 것은?
1.
2.
3.
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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2019년 6월 15일 기출문제 13번입니다!
13. 만일 내부 코일 저항이 20[Ω]이라면, 2[kHz], 10[V] 전원에 연결된 30[mH] 코일의 품질계수 Q의 값은?
1. 3π
2. 3
3. 6π
4. 6
정답은 3번
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안녕하세요
오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2020년 6월 13일 기출문제 9번입니다!
9. <보기>와 같은 R-C회로에서 입력 전압이 Vin(t)로 주어질 때, 커패시터 C의 양단 전압 VC(t)와 Vin(t) 간의 관계식으로 가장 옳은 것은? (단, 회로에서 저항의 저항 값은 R[Ω], 커패시터의 정전용량은 C[F]이다.)
1.
2.
3.
4.
정답은 4번
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안녕하세요
오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2019년 4월 6일 기출문제 6번입니다!
6. 다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1. n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.
2. 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.
3. 전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.
4. 드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.
정답은 3번
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안녕하세요
오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 9번입니다!
9. 다음 회로에서 최대 전력이 부하 RL에 전달되기 위한 RL[Ω]은?
1. 6
2. 8
3. 10
4. 12
정답은 4번
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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2019년 4월 6일 기출문제 4번입니다!
4. 다음 증폭기 회로에서 트랜지스터 Q1의 컬렉터-이미터 전압 VCE[V]는? (단, βDC =100, VBE =0.7 [V]이다)
1. 1.5
2. 2
3. 2.5
4. 3
정답은 2번
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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 지방직 공무원 서울시 전자공학개론 2020년 6월 13일 기출문제 12번입니다!
12. <보기>와 같이 두 전압원과 하나의 저항을 갖는 회로에서 전압 v[V]와 전류 i[mA] 값은?
1. ①
2. ②
3. ③
4. ④
정답은 2번
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오늘은 wonhyo0428님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2021년 4월 17일 기출문제 9번입니다!
9. FSK(Frequency Shift Keying)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1. 비동기 복조(non-coherent demodulation) 방식을 사용할 수 있어 PSK(Phase Shift Keying)보다 수신기 구현이 간단하다.
2. FSK는 진폭이 일정한 변조 방식이므로 채널에 의한 진폭 변화에 둔감하다.
3. 동기 복조(coherent demodulation) 방식을 사용할 때, FSK의 비트오율(BER)이 PSK의 비트오율보다 낮다.
4. 동일한 정보 신호를 전송할 때, AM(Amplitude Modulation)보다 넓은 주파수 대역폭을 점유한다.
정답은 3번
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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 16번입니다!
16. 다음 차단주파수가 fc인 2극 능동 필터 회로에서 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때, 주파수 응답특성의 변화로 옳은 것은? (단, 점선은 다음 회로의 주파수 응답특성이고 실선은 R1과 R2를 각각 2배씩 증가시켰을 때의 주파수 응답특성이다. 연산증폭기는 이상적이라고 가정한다)
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정답은 3번
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오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 14번입니다!
14. 증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
1. 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.
2. 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.
3. 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.
4. 드레인-소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.
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