안녕하세요
오늘은 wonhyo0428님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2021년 4월 17일 기출문제 14번입니다!
14. BJT와 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1. BJT 컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 것이 핀치-오프(pinch-off) 현상이다.
2. BJT 컬렉터-이미터 전압크기가 증가함에 따라 실효 베이스 폭이 감소하고 컬렉터 전류가 증가하는 것이 얼리(Early) 효과이다.
3. MOSFET의 드레인 전압을 계속 증가시키면 드레인 공핍영역이 소스 공핍영역과 닿는 것이 펀치-스루(punch-through) 현상이다.
4. MOSFET의 펀치-스루(punch-through) 현상이 발생하면 드레인 전류는 급격히 증가한다.
정답은 1번
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