안녕하세요
오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2019년 4월 6일 기출문제 6번입니다!
6. 다음 증가형(enhancement) MOSFET이 포화영역에서 동작할 때, 이에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
1. n채널이 만들어지는 NMOS 트랜지스터이다.
2. 게이트는 소스보다 높은 전위를 가진다.
3. 전자가 드레인에서 소스로 흘러 전류가 발생한다.
4. 드레인은 소스보다 높은 전위를 가진다.
정답은 3번
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