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증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? – 9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2018년 4월 7일 기출문제) #공퀴즈 #닷컴

안녕하세요

오늘은 규현님께서 풀이하신
9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 14번입니다!

14. 증가형 n-채널 MOSFET의 문턱전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

1. 기판의 도핑농도가 클수록 문턱전압은 증가한다.

2. 채널 폭이 좁아질수록 문턱전압은 감소한다.

3. 채널 길이가 짧아질수록 문턱전압은 감소한다.

4. 드레인-소스 전압이 증가할수록 문턱전압은 감소한다.

정답은 2

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::: 9급 국가직 공무원 전자공학개론 2018년 4월 7일 기출문제 풀기 :::

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